RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Gesamtnote
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
20
49
Rund um -145% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.7
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.2
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
20
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.1
19.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
15.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2070
3473
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link