RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Сравнить
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB против Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Средняя оценка
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
49
Около -145% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.7
10.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.2
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
20
Скорость чтения, Гб/сек
10.1
19.7
Скорость записи, Гб/сек
7.8
15.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2070
3473
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link