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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
总分
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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需要考虑的原因
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
20
49
左右 -145% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.7
10.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.2
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
20
读取速度,GB/s
10.1
19.7
写入速度,GB/s
7.8
15.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2070
3473
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
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Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
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G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
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