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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Gesamtnote
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
49
71
Rund um 31% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.5
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
71
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.1
14.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
8.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2070
1863
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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