RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
49
71
Wokół strony 31% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.5
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
71
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
1863
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link