RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
47
Rund um -31% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.5
10.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.6
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.4
14.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
11.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2169
3001
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM-Vergleiche
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9965432-082.A00LF 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link