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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
47
左右 -31% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.5
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
36
读取速度,GB/s
10.4
14.5
写入速度,GB/s
7.8
11.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
3001
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
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