RAM-Vergleich Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

Gesamtnote

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

3 17.5

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

48 73

Rund um -52% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

8.3 1,423.3

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

25600 5300

Rund um 4.83 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit

5-5-5-15 / 667 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

476 2196

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns