RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
48
73
Wokół strony -52% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
48
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
2196
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Mushkin 996902 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link