Confronto tra le RAM Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

Punteggio complessivo

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Motivi da considerare
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

48 73

Intorno -52% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

8.3 1,423.3

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

25600 5300

Intorno 4.83 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock

5-5-5-15 / 667 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

476 2196

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns