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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Comparar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
17.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
48
73
Por volta de -52% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.3
1,423.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
5300
Por volta de 4.83 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
73
48
Velocidade de leitura, GB/s
3,510.5
17.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,423.3
8.3
Largura de banda de memória, mbps
5300
25600
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
476
2196
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
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Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
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