RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
47
Rund um -31% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
10.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.5
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.4
14.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
10.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2169
2589
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM-Vergleiche
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
KingSpec KingSpec 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link