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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
47
左右 -31% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.9
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.5
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
36
读取速度,GB/s
10.4
14.9
写入速度,GB/s
7.8
10.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
2589
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
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Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
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