RAM-Vergleich Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Gesamtnote

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Gründe für die Berücksichtigung
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

31 47

Rund um -52% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

20.5 10.4

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

15.5 7.8

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

25600 12800

Rund um 2 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit

9-9-9-24 / 1600 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2169 3649

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns