RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Porównaj
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
47
Wokół strony -52% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.5
10.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
31
Prędkość odczytu, GB/s
10.4
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2169
3649
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link