RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Gesamtnote
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
33
Rund um -27% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.9
8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.6
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.0
18.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
16.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1911
3866
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link