RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB против Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
33
Около -27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.9
8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.6
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
26
Скорость чтения, Гб/сек
8.0
18.9
Скорость записи, Гб/сек
7.3
16.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1911
3866
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link