RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gesamtnote
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
54
Rund um -125% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17
9.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.8
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
54
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.2
17.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
13.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2105
3089
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link