RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gesamtnote
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
43
54
Rund um -26% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.3
9.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.2
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
54
43
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.2
11.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
9.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2105
2098
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link