Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB

Gesamtnote
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Gesamtnote
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Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB

Unterschiede

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    32 left arrow 54
    Rund um -69% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    20.5 left arrow 9.2
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    14.5 left arrow 8.1
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    21300 left arrow 12800
    Rund um 1.66 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    54 left arrow 32
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    9.2 left arrow 20.5
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.1 left arrow 14.5
  • Speicherbandbreite, mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • Beschreibung
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2105 left arrow 3379
RAM Latency Calculator
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RAM 1
RAM 2

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