RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gesamtnote
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
20
54
Rund um -170% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19
9.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.3
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
54
20
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.2
19.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
15.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2105
2939
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link