RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
54
Rund um -125% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.4
9.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.5
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
54
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.2
15.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
11.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2105
2534
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G160081S 4GB
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link