RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
54
Rund um -80% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.1
9.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.2
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
54
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.2
18.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
14.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2105
3352
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Kingston 99U5471-034.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link