RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
54
Rund um -80% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.3
9.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.8
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
54
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.2
17.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
14.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2105
3544
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link