RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gesamtnote
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
54
Rund um -42% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.5
9.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.4
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
54
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.2
14.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
10.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2105
2429
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link