Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB

Gesamtnote
star star star star star
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Gesamtnote
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB

Unterschiede

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Einen Fehler melden
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    9.2 left arrow 9.1
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.1 left arrow 7.9
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    36 left arrow 54
    Rund um -50% geringere Latenzzeit
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    17000 left arrow 12800
    Rund um 1.33 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    54 left arrow 36
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    9.2 left arrow 9.1
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.1 left arrow 7.9
  • Speicherbandbreite, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Beschreibung
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 13 15 18 21 22
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2105 left arrow 2090
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Letzte Vergleiche