RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
9.2
9.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.1
7.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
54
Por volta de -50% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
36
Velocidade de leitura, GB/s
9.2
9.1
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
7.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 13 15 18 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2105
2090
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link