RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gesamtnote
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
54
Rund um -125% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
9.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.1
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
54
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.2
16.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
12.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2105
2904
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link