RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gesamtnote
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
54
Rund um -74% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.6
9.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.5
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
54
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.2
14.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
11.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2105
2199
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link