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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gesamtnote
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
54
58
Rund um 7% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.3
9.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.9
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
54
58
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.2
18.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
8.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2105
2181
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM-Vergleiche
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SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
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