RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
63
Rund um -186% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.9
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.6
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
63
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.1
16.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
13.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1945
3192
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link