RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Gesamtnote
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
63
Rund um -75% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.8
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.3
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
63
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.1
15.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
12.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1945
3099
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link