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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
63
Rund um -70% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.4
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.6
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
63
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.1
15.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
11.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1945
2321
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
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