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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
总分
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
37
63
左右 -70% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.4
8.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
37
读取速度,GB/s
8.1
15.4
写入速度,GB/s
7.5
11.6
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1945
2321
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
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Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
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