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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
30
左右 43% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
17.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
12.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
30
读取速度,GB/s
22.8
17.6
写入速度,GB/s
15.4
12.9
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
2460
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Mushkin 991586 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
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