RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
63
Wokół strony -70% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
8.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
37
Prędkość odczytu, GB/s
8.1
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1945
2321
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link