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AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
比较
AMD AE34G1601U1 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
总分
AMD AE34G1601U1 4GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD AE34G1601U1 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
67
左右 -139% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.9
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.2
3.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
67
28
读取速度,GB/s
6.8
17.9
写入速度,GB/s
3.6
14.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
998
3485
AMD AE34G1601U1 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6EFR8A
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