RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB vs Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Gesamtnote
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
66
68
Rund um 3% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.9
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.9
6.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
66
68
Lesegeschwindigkeit, GB/s
7.3
16.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.6
8.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1760
2007
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB RAM-Vergleiche
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link