RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Comparar
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB vs Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Pontuação geral
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
66
68
Por volta de 3% menor latência
Razões a considerar
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.9
7.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.9
6.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
66
68
Velocidade de leitura, GB/s
7.3
16.9
Velocidade de escrita, GB/s
6.6
8.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1760
2007
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB Comparações de RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link