RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170DZ1-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5170DZ1-CH9 4GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B5170DZ1-CH9 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5170DZ1-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
31
Rund um -11% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.4
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5170DZ1-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
31
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.5
20.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
16.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2080
3925
Samsung M393B5170DZ1-CH9 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HYMP151F72CPD43-S6 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Samsung M393B5170DZ1-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
‹
›
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link