Samsung M393B5170DZ1-CH9 4GB
SK Hynix HYMP151F72CPD43-S6 4GB

Samsung M393B5170DZ1-CH9 4GB vs SK Hynix HYMP151F72CPD43-S6 4GB

Gesamtnote
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Samsung M393B5170DZ1-CH9 4GB

Samsung M393B5170DZ1-CH9 4GB

Gesamtnote
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SK Hynix HYMP151F72CPD43-S6 4GB

SK Hynix HYMP151F72CPD43-S6 4GB

Unterschiede

Samsung M393B5170DZ1-CH9 4GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5170DZ1-CH9 4GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    31 left arrow 67
    Rund um 54% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    9.5 left arrow 3
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    9.0 left arrow 2,240.3
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    10600 left arrow 6400
    Rund um 1.66% höhere Bandbreite
SK Hynix HYMP151F72CPD43-S6 4GB Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP151F72CPD43-S6 4GB
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Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5170DZ1-CH9 4GB
SK Hynix HYMP151F72CPD43-S6 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR2
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    31 left arrow 67
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    9.5 left arrow 3,322.5
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    9.0 left arrow 2,240.3
  • Speicherbandbreite, mbps
    10600 left arrow 6400
Other
  • Beschreibung
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2080 left arrow 652
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RAM 1
RAM 2

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