Comparación de la memoria RAM Samsung M393B5170DZ1-CH9 4GB vs SK Hynix HYMP151F72CPD43-S6 4GB

Samsung M393B5170DZ1-CH9 4GB vs SK Hynix HYMP151F72CPD43-S6 4GB

Puntuación global

Samsung M393B5170DZ1-CH9 4GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170DZ1-CH9 4GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

31 67

En 54% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s

9.5 3

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

9.0 2,240.3

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

10600 6400

En 1.66% mayor ancho de banda

Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP151F72CPD43-S6 4GB

Lista completa de especificaciones técnicas

Samsung M393B5170DZ1-CH9 4GB

SK Hynix HYMP151F72CPD43-S6 4GB

Principales características

Other

Descripción

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Tiempos / Velocidad del reloj

7-7-7-20 / 1333 MHz 5-5-5-15 / 800 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

2080 652

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns