Samsung M393B5170DZ1-CH9 4GB
SK Hynix HYMP151F72CPD43-S6 4GB

Samsung M393B5170DZ1-CH9 4GB против SK Hynix HYMP151F72CPD43-S6 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M393B5170DZ1-CH9 4GB

Samsung M393B5170DZ1-CH9 4GB

Средняя оценка
star star star star star
SK Hynix HYMP151F72CPD43-S6 4GB

SK Hynix HYMP151F72CPD43-S6 4GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    31 left arrow 67
    Около 54% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    9.5 left arrow 3
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    9.0 left arrow 2,240.3
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    10600 left arrow 6400
    Около 1.66% выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M393B5170DZ1-CH9 4GB
SK Hynix HYMP151F72CPD43-S6 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR2
  • Задержка в PassMark, нс
    31 left arrow 67
  • Скорость чтения, Гб/сек
    9.5 left arrow 3,322.5
  • Скорость записи, Гб/сек
    9.0 left arrow 2,240.3
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 6400
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2080 left arrow 652
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения