Samsung M393B5170DZ1-CH9 4GB против SK Hynix HYMP151F72CPD43-S6 4GB

-->

Средняя оценка

Samsung M393B5170DZ1-CH9 4GB

Samsung M393B5170DZ1-CH9 4GB

Средняя оценка

SK Hynix HYMP151F72CPD43-S6 4GB

SK Hynix HYMP151F72CPD43-S6 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M393B5170DZ1-CH9 4GB

Причины выбрать
Samsung M393B5170DZ1-CH9 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

31 67

Около 54% меньшая задержка
Выше скорость чтения

9.5 3

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

9.0 2,240.3

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

10600 6400

Около 1.66% выше полоса пропускания

SK Hynix HYMP151F72CPD43-S6 4GB

Причины выбрать
SK Hynix HYMP151F72CPD43-S6 4GB

Сообщить об ошибке

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M393B5170DZ1-CH9 4GB

SK Hynix HYMP151F72CPD43-S6 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR2
Задержка в PassMark, нс

31 67
Скорость чтения, Гб/сек

9.5 3,322.5
Скорость записи, Гб/сек

9.0 2,240.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 6400

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 5-5-5-15 / 800 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2080 652

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB

Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB

модули RAM

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB

Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB

модули RAM

Kingston HP669238-071-HYC 4GB

Kingston HP669238-071-HYC 4GB

Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB

Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB

модули RAM

Samsung M393B5170DZ1-CH9 4GB

Samsung M393B5170DZ1-CH9 4GB

SK Hynix HYMP151F72CPD43-S6 4GB

SK Hynix HYMP151F72CPD43-S6 4GB

модули RAM

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB

модули RAM

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB

Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB

модули RAM

Kingston 9965525-010.A00LF 4GB

Kingston 9965525-010.A00LF 4GB

Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB

Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB

Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB

Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB

Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB

Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB

Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB

Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

Kingston 9905711-002.A00G 4GB

Kingston 9905711-002.A00G 4GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB

G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB

Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB

Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB

G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB

модули RAM