RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170DZ1-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Сравнить
Samsung M393B5170DZ1-CH9 4GB против Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5170DZ1-CH9 4GB
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5170DZ1-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.0
6.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
31
Около -41% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.6
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5170DZ1-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
31
22
Скорость чтения, Гб/сек
9.5
13.6
Скорость записи, Гб/сек
9.0
6.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2080
2120
Samsung M393B5170DZ1-CH9 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP151F72CPD43-S6 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5170DZ1-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Micron Technology 36KSF2G72PZ-1G6N1 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Kingston 99U5471-033.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link