Samsung M393B5170DZ1-CH9 4GB против Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M393B5170DZ1-CH9 4GB

Samsung M393B5170DZ1-CH9 4GB

Средняя оценка

Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB

Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M393B5170DZ1-CH9 4GB

Причины выбрать
Samsung M393B5170DZ1-CH9 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость записи

9.0 6.9

Среднее значение в тестах

Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB

Причины выбрать
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

22 31

Около -41% меньшая задержка
Выше скорость чтения

13.6 9.5

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 10600

Около 2.01 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M393B5170DZ1-CH9 4GB

Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

31 22
Скорость чтения, Гб/сек

9.5 13.6
Скорость записи, Гб/сек

9.0 6.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 21300

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2080 2120

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M393B5170DZ1-CH9 4GB

Samsung M393B5170DZ1-CH9 4GB

Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB

Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB

Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB

Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB

модули RAM

Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB

Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB

модули RAM

Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB

Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB

модули RAM

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB

Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB

SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB

SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB

Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB

модули RAM

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Kingston KV0M5R-HYD 8GB

Kingston KV0M5R-HYD 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

Kingston KY7N41-MID 8GB

Kingston KY7N41-MID 8GB

модули RAM