RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170DZ1-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5170DZ1-CH9 4GB vs Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B5170DZ1-CH9 4GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5170DZ1-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
6.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
31
Rund um -41% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.6
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5170DZ1-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
31
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.5
13.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
6.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2080
2120
Samsung M393B5170DZ1-CH9 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HYMP151F72CPD43-S6 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Micron Technology 36KSF2G72PZ-1G6N1 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Kingston 99U5471-033.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link