Porównanie pamięci RAM Samsung M393B5170DZ1-CH9 4GB vs SK Hynix HYMP151F72CPD43-S6 4GB

Samsung M393B5170DZ1-CH9 4GB vs SK Hynix HYMP151F72CPD43-S6 4GB

Wynik ogólny

Samsung M393B5170DZ1-CH9 4GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Samsung M393B5170DZ1-CH9 4GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

31 67

Wokół strony 54% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

9.5 3

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

9.0 2,240.3

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

10600 6400

Wokół strony 1.66% większa szerokość pasma

Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP151F72CPD43-S6 4GB

Pełna lista specyfikacji technicznych

Samsung M393B5170DZ1-CH9 4GB

SK Hynix HYMP151F72CPD43-S6 4GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Taktowanie / szybkość zegara

7-7-7-20 / 1333 MHz 5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

2080 652

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns