RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB vs Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Gesamtnote
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.6
6.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
51
Rund um -122% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.7
10.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.2
14.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.6
6.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2049
2190
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMT8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB RAM-Vergleiche
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
INTENSO 5641152 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link