RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB vs Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Gesamtnote
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
51
Rund um -76% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
10.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.6
7.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.2
12.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.6
10.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2049
2817
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMT8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB RAM-Vergleiche
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link