RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
20
49
Rund um -145% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.1
10
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.3
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
20
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.0
17.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
14.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2116
3088
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link