RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C11 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Corsair CMY8GX3M2A2133C11 4GB
Gesamtnote
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gesamtnote
Corsair CMY8GX3M2A2133C11 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
35
Rund um 23% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
12800
10600
Rund um 1.21% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMY8GX3M2A2133C11 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C11 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
27
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.8
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
10.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
10600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2057
2529
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C11 4GB RAM-Vergleiche
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link